近二十年來，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術的進步在減小設備尺寸的同時，也加大了分立元件制造商開發(fā)理想性能器件的壓力。
在這些器件中，晶片電阻當前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎構件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準備的工作量。隨著應用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括 ESD 保護、熱電動勢、電阻熱系數(shù)、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。
以下技術對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應用。不過請注意，線繞電阻沒有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片電阻的應用不使用這種電阻。
盡管升級每個組件或子系統(tǒng)可以提高整體性能，但整體性能仍是由組件鏈中的短板決定的。系統(tǒng)中的每個組件都具有關系到整體性能的內在優(yōu)缺點，特別是短期和長期穩(wěn)定性、頻響和噪聲等問題。分立式電阻行業(yè)在線繞電阻、厚膜電阻、薄膜電阻和金屬箔電阻技術方面取得了進步，而從單位性能成本考慮，每種電阻都有許多需要加以權衡的因素。
精密線繞電阻
線繞電阻一般分為“功率線繞電阻”和“精密線繞電阻”。功率線繞電阻使用過程中會發(fā)生很大變化，不適于精密度要求很高的情況下使用。因此，本討論不考慮這種電阻。
線繞電阻的制作方法一般是將絕緣電阻絲纏繞在特定直徑的線軸上。不同線徑、長度和合金材料可以達到所需電阻和初始特性。精密線繞電阻 ESD 穩(wěn)定性更高，噪聲低于薄膜或厚膜電阻。線繞電阻還具有 TCR 低、穩(wěn)定性高的特點。
線繞電阻初始誤差可以低至 ± 0.005 %。TCR 可以達到 3 ppm/°C典型值。不過，降低電阻值，線繞電阻一般在15 ppm/°C 到 25 ppm/°C。熱噪聲降低，TCR 在限定溫度范圍內可以達到 ± 2 ppm/°C 。
線繞電阻加工過程中，電阻絲內表面收縮，而外表面拉伸。這道工藝產(chǎn)生永久變形 — 相對于彈性變形或可逆變形，必須對電阻絲進行退火。永久性機械變化會造成電阻絲和電阻電氣參數(shù)任意變化。因此，電阻元件電性能參數(shù)存在很大的不確定性。
由于線圈結構，線繞電阻成為電感器，圈數(shù)附近會產(chǎn)生線圈間電容。為提高使用中的響應速度，可以采用特殊工藝降低電感。不過，這會增加成本，而且降低電感的效果有限。由于設計中存在的電感和電容，線繞電阻高頻特性差，特別是 50 kHz 以上頻率。
兩個額定電阻值相同的線繞電阻，彼此之間很難保證特定溫度范圍內精確的一致性，電阻值不同，或尺寸不同時更為困難。這種難度會隨著電阻值差異的增加進一步加劇。以1-kΩ 電阻相對于100-kΩ 電阻為例，這種不一致性是由于直徑、長度，并有可能由于電阻絲使用的合金不同造成的。而且，電阻芯以及每英寸圈數(shù)也不同—機械特性對電氣特性的影響也不一樣。由于不同的電阻值具有不同的熱機特性，因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣，設計的電阻比在設備生命周期中會發(fā)生很大變化。TCR 特性和比率對于高精度電路極為重要。
薄膜電阻
薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為 50 A 至 250 A 的金屬沉積層組成。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或 Bulk Metal金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經(jīng)濟并節(jié)省空間。
它們具有最佳溫度敏感沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值范圍。因此，采用各種沉積層厚度可以實現(xiàn)不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程因實現(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整個電阻范圍內是可變的。這種化學/機械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳薄膜厚度還會嚴重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。
厚膜電阻
如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度且成本更低，厚膜電阻得到廣泛使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術中，其噪聲最高。雖然精度低于其他技術，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術，是由于其廣泛應用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。
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